深圳市南皇電子有限公司長期提供BSZ120P03NS3E G（品牌: Infineon）充足現貨訂購、免費樣品
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基本技術信息：
電子器件型號：BSZ120P03NS3E G
原始制造廠商：Infineon，英飛凌
技術標準參數：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
產品應用分類：單端場效應管
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技術參數詳解：
Infineon英飛凌公司完整型號：BSZ120P03NS3E G制造廠家名稱：Infineon Technologies描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8系列：OptiMOS?FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：11A（Ta），40A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：12 毫歐 @ 20A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 73μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：45nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3360pF @ 15V功率 - 最大值：2.1W安裝類型：表面貼裝封裝/外殼：8-PowerTDFN供應商器件封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）BSZ120P03NS3E G均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
