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圖片信息
2SK879-GR(TE85L,F)圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：2SK879-GR(TE85L,F)
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導體
  • 技術標準參數：JFET N-CH 0.1W USM
  • 產品應用分類：晶體管 - JFET
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    • 技術參數詳解：
  • 制造商產品型號：2SK879-GR(TE85L,F)
  • 制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：JFET N-CH 0.1W USM
  • 系列：晶體管 - JFET
  • 零件狀態：有源
  • FET類型：N 通道
  • 電壓-擊穿(V(BR)GSS)：-
  • 漏源電壓（Vdss）：-
  • 不同Vds(Vgs=0)時電流-漏極(Idss)：2.6mA @ 10V
  • 漏極電流(Id)-最大值：-
  • 不同Id時電壓-截止(VGSoff)：400mV @ 100nA
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：8.2pF @ 10V
  • 電阻-RDS(On)：-
  • 功率-最大值：100mW
  • 工作溫度：125°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：SC-70，SOT-323
  • 2SK879-GR(TE85L,F)均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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